参数资料
型号: LM2904DR2
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 12/14页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
产品变化通告: Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装: 1
放大器类型: 通用
电路数: 2
转换速率: 0.6 V/µs
增益带宽积: 1MHz
电流 - 输入偏压: 45nA
电压 - 输入偏移: 2000µV
电流 - 电源: 1.5mA
电流 - 输出 / 通道: 40mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V
工作温度: -40°C ~ 105°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: LM2904DR2OSCT
LM258, LM358, LM358A, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904, NCV2904V
http://onsemi.com
7
V
OR
,OUTPUT
VOL
TAGE
RANGE
(V
)
pp
V
O
,OUTPUT
VOL
TAGE
(mV)
Figure 6. LargeSignal Frequency Response
Figure 7. Small Signal Voltage Follower
Pulse Response (Noninverting)
Figure 8. Power Supply Current versus
Power Supply Voltage
Figure 9. Input Bias Current versus
Supply Voltage
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
1.0
10
100
1000
f, FREQUENCY (kHz)
550
500
450
400
350
300
250
200
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
t, TIME (ms)
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCC, POWER SUPPLY VOLTAGE (V)
90
80
70
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
I
,POWER
SUPPL
Y
CURRENT
(mA)
CC
I
,INPUT
BIAS
CURRENT
(nA)
IB
RL = 2.0 kW
VCC = 15 V
VEE = Gnd
Gain = -100
RI = 1.0 kW
RF = 100 kW
Input
Output
TA = 25°C
RL =
R
VCC = 30 V
VEE = Gnd
TA = 25°C
CL = 50 pF
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PDF描述
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参数描述
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