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参数资料
| 型号： | LM311DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 通用 |
| 元件数： | 1 |
| 输出类型： | DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 30 V，±2.5 V ~ 15 V |
| 电压 - 输入偏移（最小值）： | 7.5mV @ ±15V |
| 电流 - 输入偏压（最小值）： | 0.25µA @ ±15V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 7.5mA |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1129 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | LM311DR2GOSDKR |
LM211, LM311
http://onsemi.com
8
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP8
N SUFFIX
CASE 62605
ISSUE M
14
5
8
F
NOTE 5
D
e
b
L
A1
A
E3
E
A
TOP VIEW
C SEATING
PLANE
0.010
CA
SIDE VIEW
END VIEW
NOTE 3
DIM
MIN
NOM
MAX
INCHES
A
0.210
A1 0.015
b
0.014
0.018
0.022
C
0.008
0.010
0.014
D
0.355
0.365
0.400
D1 0.005
e
0.100 BSC
E
0.300
0.310
0.325
L
0.115
0.130
0.150
5.33
0.38
0.35
0.46
0.56
0.20
0.25
0.36
9.02
9.27
10.02
0.13
2.54 BSC
7.62
7.87
8.26
2.92
3.30
3.81
MIN
NOM
MAX
MILLIMETERS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. DIMENSION E IS MEASURED WITH THE LEADS RE-
STRAINED PARALLEL AT WIDTH E2.
4. DIMENSION E1 DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
E1
0.240
0.250
0.280
6.10
6.35
7.11
E2
E3
0.430
10.92
0.300 BSC
7.62 BSC
E1
D1
M
8X
e/2
E2
c
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| LM311D-T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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