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参数资料
| 型号： | LM311MX/NOPB |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 23/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VOLTAGE COMPARATOR 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 通用 |
| 元件数： | 1 |
| 输出类型： | DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 36 V，±2.5 V ~ 18 V |
| 电压 - 输入偏移（最小值）： | 7.5mV @ ±15V |
| 电流 - 输入偏压（最小值）： | 0.25µA @ ±15V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 7.5mA |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1264 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | LM311MXDKR |
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SNOSBJ1E – MAY 1999 – REVISED MARCH 2013
Figure 9. Zero Crossing Detector Driving MOS Logic
These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.
Copyright 1999–2013, Texas Instruments Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LM311N | 功能描述:校验器 IC Single GP Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品: 比较器类型: 通道数量: 输出类型:Push-Pull 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.1 V 补偿电压（最大值）:6 mV 电源电流（最大值）:1350 nA 响应时间: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-70-5 封装:Reel |
| LM311-N | 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:LM111-N/LM211-N/LM311-N Voltage Comparator |
| LM311N 87 | 制造商:National Semiconductor 功能描述:LM311N |
| LM311N,602 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| LM311N | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC VOLT COMPARATOR DIP8 311 |
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