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参数资料
| 型号： | LM385M3-2.5/NOPB |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 4/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VREF SHUNT 2.5V SOT-23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 基准类型： | 分流器 |
| 输出电压： | 2.5V |
| 容差： | ±3% |
| 温度系数： | 150ppm/°C |
| 通道数： | 1 |
| 电流 - 阴极： | 20µA |
| 电流 - 输出： | 20mA |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1308 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | LM385M3-2.5DKR |
LM185-2.5-N, LM285-2.5-N, LM385-2.5-N
SNVS743D – DECEMBER 1999 – REVISED MARCH 2013
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
LM185-2.5-N
LM185BX-2.5-N
LM385B-2.5-N
Parameter
Conditions
Typ
LM185BY-2.5-N
LM285-2.5-N
LM285BX-2.5-N
LM385BX-2.5-N
LM385BY-2.5-N
LM385-2.5-N
Units
(Limit)
LM285BY-2.5-N
Tested Limit (1) (2) Design
Limit (3)
Tested
Limit (1)
Design
Limit (3)
Tested
Limit (1)
Design
Limit (3)
Reverse Breakdown T A = 25°C,
2.5
2.462
2.462
2.425
V(Min)
Voltage
20 μ A ≤ I R ≤ 20 mA
2.538
2.538
2.575
V(Max)
Minimum Operating
13
20
30
20
30
20
30
μ A
Current
(Max)
LM385M3-2.5-N
15
20
Reverse Breakdown 20 μ A ≤ I R ≤ 1 mA
1
1.5
2.0
2.5
2.0
2.5
mV
Voltage Change
(Max)
with Current
1 mA ≤ I R ≤ 20 mA
10
20
20
25
20
25
mV
(Max)
Reverse Dynamic
Impedance
Wideband Noise
(rms)
Long Term Stability
I R = 100 μ A,
f = 20 Hz
I R = 100 μ A,
10 Hz ≤ f ≤ 10 kHz
I R = 100 μ A,
T = 1000 Hr,
1
120
20
Ω
μ V
ppm
T A = 25°C ±0.1°C
Average
I R = 100 μ A
Temperature
Coefficient (4)
X Suffix
Y Suffix
30
50
30
50
ppm/°C
ppm/°C
All Others
150
150
150
ppm/°C
(Max)
(1)
(2)
(3)
(4)
Specified and 100% production tested.
A military RETS electrical specification available on request.
Specified, but not 100% production tested. These limits are not used to calculate average outgoing quality levels.
The average temperature coefficient is defined as the maximum deviation of reference voltage at all measured temperatures between
the operating T MAX and T MIN , divided by T MAX –T MIN . The measured temperatures are ? 55°C, ? 40°C, 0°C, 25°C, 70°C, 85°C, 125°C.
4
Copyright ? 1999–2013, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: LM185-2.5-N LM285-2.5-N LM385-2.5-N
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBB06DHHN | CONN EDGECARD 12POS .050 DIP SLD |
| SRN3015-4R7M | INDUCTOR POWER SHIELD 4.7UH SMD |
| GBB06DHND | CONN EDGECARD 12POS .050 DIP SLD |
| TAC156K010P05 | CAP TANT 15UF 10V 10% AXIAL |
| TAC106K025P05-F | CAP TANT 10UF 25V 10% AXIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LM385M3X-1.2 | 功能描述:基准电压& 基准电流 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Voltage References 拓扑结构:Shunt References 参考类型:Programmable 输出电压:1.24 V to 18 V 初始准确度:0.25 % 平均温度系数（典型值）:100 PPM / C 串联 VREF - 输入电压（最大值）: 串联 VREF - 输入电压（最小值）: 分流电流（最大值）:60 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-23-3L 封装:Reel |
| LM385M3X-1.2 NOPB | 制造商:National Semiconductor 功能描述:V-Ref Precision 1.235V 20mA 3-Pin SOT-23 T/R |
| LM385M3X-1.2/NOPB | 功能描述:基准电压& 基准电流 MICROPWR VLTG REF DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Voltage References 拓扑结构:Shunt References 参考类型:Programmable 输出电压:1.24 V to 18 V 初始准确度:0.25 % 平均温度系数（典型值）:100 PPM / C 串联 VREF - 输入电压（最大值）: 串联 VREF - 输入电压（最小值）: 分流电流（最大值）:60 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-23-3L 封装:Reel |
| LM385M3X12 | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| LM385M3X-2.5 | 功能描述:基准电压& 基准电流 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Voltage References 拓扑结构:Shunt References 参考类型:Programmable 输出电压:1.24 V to 18 V 初始准确度:0.25 % 平均温度系数（典型值）:100 PPM / C 串联 VREF - 输入电压（最大值）: 串联 VREF - 输入电压（最小值）: 分流电流（最大值）:60 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-23-3L 封装:Reel |
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