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参数资料
| 型号： | LM4040DTB-300GT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 基准电压源/电流源 |
| 英文描述： | 1-OUTPUT TWO TERM VOLTAGE REFERENCE, 3 V, PDSO3 |
| 封装： | HALOGEN FREE, BFR FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | LM4040DTB-300GT3 |
LM4040, LM4041
http://onsemi.com
4
Table 5. DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(IR = 100 mA, TA = 40°C to +85°C, unless otherwise noted. Typical values are at TA = +25°C.)
Symbol
Units
Limits
Test Conditions
Parameter
Symbol
Units
Max
Typ
Min
Test Conditions
Parameter
2.500 V
IR_MIN
Minimum Operating Current
45
65
mA
DVR/DT
Reverse Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
IR = 10 mA
±20
ppm/°C
IR = 1 mA
LM4040A, B, C
±15
±100
LM4040D, E
±15
±150
IR = 100 mA
±15
DVR/DIR
Reverse Breakdown Voltage
Change with Operating Current
IR_MIN ≤ IR ≤
1 mA
LM4040A, B, C
0.3
1.0
mV
LM4040D, E
0.3
1.2
1 mA ≤ IR ≤
15 mA
LM4040A, B, C
2.5
8
LM4040D, E
2.5
10
ZR
Reverse Dynamic Impedance
IR = 1 mA,
f = 120 Hz,
IAC = 0.1 IR
LM4040A, B
0.3
0.8
W
LM4040C
0.3
0.9
LM4040D, E
0.3
1.1
eN
Wideband Noise
IR = 100 mA, 10 Hz ≤ f ≤ 10 KHz
350
mVRMS
DVR
Reverse Breakdown Voltage
Long Term Stability
T = 1000 h
120
ppm
VHYST
Thermal Hysteresis (Note 2)
DT = 40°C to +125°C
0.08
%
3.000 V
VR
Reverse Breakdown Voltage
TA = +25°C
LM4040A (0.1%)
2.997
3.000
3.003
V
LM4040B (0.2%)
2.994
3.000
3.006
LM4040C (0.5%)
2.985
3.000
3.015
LM4040D (1.0%)
2.970
3.000
3.030
LM4040E (2.0%)
2.940
3.000
3.060
VR
Reverse Breakdown Voltage
Tolerance
LM4040A
±3
±22
mV
LM4040B
±6
±26
LM4040C
±15
±34
LM4040D
±30
±59
LM4040E
±60
±89
IR_MIN
Minimum Operating Current
45
65
mA
DVR/DT
Reverse Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
IR = 10 mA
±20
ppm/°C
IR = 1 mA
LM4040A, B, C
±15
±100
LM4040D, E
±15
±150
IR = 100 uA
±15
DVR/DIR
Reverse Breakdown Voltage
Change with Operating Current
IR_MIN ≤ IR ≤
1 mA
LM4040A, B, C
0.4
1.1
mV
LM4040D, E
0.4
1.3
1mA ≤ IR ≤
15 mA
LM4040A, B, C
2.7
9
LM4040D, E
2.7
11
1. Guaranteed by design.
2. Thermal hysteresis is defined as the difference in voltage measured at +25°C after cycling to temperature 40°C and the 25°C measure-
ment after cycling to temperature +125°C.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LM4040DTB-330GT3 | 功能描述:基准电压& 基准电流 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Voltage References 拓扑结构:Shunt References 参考类型:Programmable 输出电压:1.24 V to 18 V 初始准确度:0.25 % 平均温度系数（典型值）:100 PPM / C 串联 VREF - 输入电压（最大值）: 串联 VREF - 输入电压（最小值）: 分流电流（最大值）:60 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-23-3L 封装:Reel |
| LM4040DTB-409GT3 | 功能描述:基准电压& 基准电流 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Voltage References 拓扑结构:Shunt References 参考类型:Programmable 输出电压:1.24 V to 18 V 初始准确度:0.25 % 平均温度系数（典型值）:100 PPM / C 串联 VREF - 输入电压（最大值）: 串联 VREF - 输入电压（最小值）: 分流电流（最大值）:60 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-23-3L 封装:Reel |
| LM4040DTB-500GT3 | 功能描述:基准电压& 基准电流 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Voltage References 拓扑结构:Shunt References 参考类型:Programmable 输出电压:1.24 V to 18 V 初始准确度:0.25 % 平均温度系数（典型值）:100 PPM / C 串联 VREF - 输入电压（最大值）: 串联 VREF - 输入电压（最小值）: 分流电流（最大值）:60 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-23-3L 封装:Reel |
| LM4040DYM3-2.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:RF Micro Devices Inc 功能描述: |
| LM4040DYM3-2.5 TR | 功能描述:基准电压& 基准电流 Shunt Voltage Reference, 5.0V Reference, accuracy, 1.0% 150ppm/deg - Lead Free RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Voltage References 拓扑结构:Shunt References 参考类型:Programmable 输出电压:1.24 V to 18 V 初始准确度:0.25 % 平均温度系数（典型值）:100 PPM / C 串联 VREF - 输入电压（最大值）: 串联 VREF - 输入电压（最小值）: 分流电流（最大值）:60 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SOT-23-3L 封装:Reel |
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