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参数资料
| 型号： | LMH6619MA/NOPB |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 16/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP DUAL RRIO 130MHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | PowerWise® |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 57 V/µs |
| 增益带宽积： | 58MHz |
| -3db带宽： | 140MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1.5µA |
| 电压 - 输入偏移： | 100µV |
| 电流 - 电源： | 1.45mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 11 V，±1.35 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1270 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | 551600075-001-ND - BOARD FOR SOIC LMH6612/19 551600074-001-ND - BOARD FOR SOIC LMH6612/19 |
| 其它名称： | LMH6619MA |
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SNOSAV7E – AUGUST 2007 – REVISED OCTOBER 2012
Table 1. Performance Data for the LMH6618 Driving an ADC121S101
Parameter
Measured Value
Signal Frequency
100 kHz
Signal Amplitude
4.5V
SINAD
71.5 dB
SNR
71.87 dB
THD
82.4 dB
SFDR
90.97 dB
ENOB
11.6 bits
When the op amp and the ADC are using the same supply, it is important that both devices are well bypassed. A
0.1 F ceramic capacitor and a 10 F tantalum capacitor should be located as close as possible to each supply
pin. A sample layout is shown in Figure 65. The 0.1 F capacitors (C13 and C6) and the 10 F capacitors (C11
and C5) are located very close to the supply pins of the LMH6618 and the ADC121S101.
Figure 65. LMH6618 and ADC121S101 Layout
SINGLE TO DIFFERENTIAL ADC DRIVER
Figure 66 shows the LMH6619 used to drive a differential ADC with a single-ended input. The ADC121S625 is a
fully differential 12-bit ADC. Table 2 shows the performance data of the LMH6619 and the ADC121S625.
Copyright 2007–2012, Texas Instruments Incorporated
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSW-116-06-G-D | CONN HEADER 32POS .100" DL GOLD |
| ISL28408FBZ-T7A | IC OPAMP RR 1.2MHZ QUAD 14SOIC |
| TSW-116-05-G-D | CONN HEADER 32POS .100" DL GOLD |
| TSW-118-07-G-D | CONN HEADER 36POS .100" DL GOLD |
| PEC12DBEN | CONN HEADER .100 DUAL R/A 24POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LMH6619MAX | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:PowerWise㈢ 130 MHz, 1.25 mA RRIO Operational Amplifiers |
| LMH6619MAX/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6619QMAK/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6619QMAKE/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LMH6619QMAKX/NOPB | 功能描述:运算放大器 - 运放 Auto Dual 130MHz 1.25mA RRIO Op Amps RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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