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参数资料
| 型号： | LPC12D27FBD100/301 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 28/46页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 32BIT ARM CORTEX-M0 100-LQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | LPC1200 |
| 核心处理器： | ARM? Cortex?-M0 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 45MHz |
| 连通性： | I²C，IrDA，SPI，SSP，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 40 |
| 程序存储器容量： | 128KB（128K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 8K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 3 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 568-8372 |
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LPC12D27
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 20 September 2011
34 of 46
NXP Semiconductors
LPC12D27
32-bit ARM Cortex-M0 microcontroller
11.2 Flash memory
[1]
Erase and programming times are valid over the lifetime of the device (minimum 20000 cycles).
[2]
Number of program/erase cycles.
11.3 External clock
[1]
Parameters are valid over operating temperature range unless otherwise specified.
[2]
Typical ratings are not guaranteed. The values listed are at room temperature (25
C), nominal supply
voltages.
Table 12.
Dynamic characteristics: flash memory
Tamb = 40 C to +85 C; VDD(3V3) over specified ranges.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
ter
erase time
for one page (512 byte)
[1] -20
ms
for one sector (4 kB)
162
ms
for all sectors; mass
erase
[1] -20
ms
tprog
programming
time
one word (4 bytes)
[1] -49
s
four sequential words
[1] -194
s
128 bytes (one row of 32
words)
[1] -765
s
Nendu
endurance
[2] 20000
-
cycles
tret
retention time
10
-
years
Table 13.
Dynamic characteristics: external clock
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ[2]
Max
Unit
fosc
oscillator frequency
1
-
25
MHz
Tcy(clk)
clock cycle time
40
-
1000
ns
tCHCX
clock HIGH time
Tcy(clk) 0.4
--ns
tCLCX
clock LOW time
Tcy(clk) 0.4
--ns
tCLCH
clock rise time
-
5
ns
tCHCL
clock fall time
-
5
ns
Fig 20. External clock timing (with an amplitude of at least Vi(RMS) = 200 mV)
tCHCL
tCLCX
tCHCX
Tcy(clk)
tCLCH
002aaa907
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PDF描述 |
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