参数资料
| 型号： | LT1101IN8#PBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PREC INSTRMNT-AMP SNGL 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 放大器类型： | 仪表 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 0.1 V/µs |
| 增益带宽积： | 37kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6nA |
| 电压 - 输入偏移： | 60µV |
| 电流 - 电源： | 94µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.2 V ~ 36 V，±1.1 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1323 (CN2011-ZH PDF) |
6
LT1101
1101fa
LT1101AM/AI
LT1101M/I
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
UNITS
GE
Gain Error
G = 100, V0 = 0.1V to 3.5V, RL = 50k
0.026
0.080
0.028
0.120
%
G = 10, VCM = 0.15, RL = 50k
0.011
0.070
0.014
0.100
%
TCGE
Gain Error Drift
RL = 50k (Note 2)
1
4
1
5
ppm/°C
GNL
Gain Nonlinearity
G = 100, RL = 50k
45
110
48
140
ppm
G = 10, RL = 50k (Note 2)
4
13
5
15
ppm
VOS
Input Offset Voltage
90
350
110
500
V
LT1101ISW
110
950
V
VOS/T Input Offset Voltage Drift
(Note 2)
0.4
2.0
0.5
2.8
V/°C
LT1101ISW
0.5
4.8
V/°C
lOS
Input Offset Current
0.16
0.80
0.19
1.30
nA
VOS/T Input Offset Current Drift
(Note 2)
0.5
4.0
0.8
7.0
pA/°C
IB
Input Bias Current
7
10
7
12
nA
IB/T
Input Bias Current Drift
(Note 2)
10
25
10
30
pA/°C
CMRR
Common Mode
G = 100, VCM = 0.1V to 3.2V
91
105
88
104
dB
Rejection Ratio
G = 10, VCM = 0.1V to 2.9V, VREF = 0.15V
80
98
77
97
dB
IS
Supply Current
88
135
92
160
A
V0
Maximum 0utput
Output High, 50k to GND
3.8
4.1
3.8
4.1
V
Voltage Swing
Output High, 2k to GND
3.0
3.7
3.0
3.7
V
Output Low, VREF = 0, No Load
4.5
8
4.5
8
mV
Output Low, VREF = 0, 2k to GND
0.7
1.5
0.7
1.5
mV
Output Low, VREF = 0, ISINK = 100A
125
170
125
170
mV
VS = 5V, 0V, VCM = 0.1V, VREF(PIN 1) = 0.1V, Gain = 10 or 100,
–40°C ≤ TA ≤ 85°C for AI/I grades, unless otherwise noted (Note 4).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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