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参数资料
| 型号： | LT1680CSW |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BST PWM CM 16-SOIC |
| 标准包装： | 47 |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 200kHz |
| 占空比： | 90% |
| 电源电压： | 4 V ~ 60 V |
| 降压： | 无 |
| 升压： | 是 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
LT1680
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
The q denotes the specifications which apply over the full operating temperature range, otherwise specifications are at T A = 25 ° C.
12V IN = 12V, V VC = 2V, V FB = V REF = 1.25V, C GATE = 3000pF, unless otherwise noted.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Error Amplifier
V SENSE
Peak Current Limit Threshold
Measured at Sense Inputs
q
170
190
mV
V IAVG
Average Current Limit Threshold
Average Current Limit Threshold
Measured at Sense Inputs, V CMSENSE = 10V
Measured at I AVG Pin
q
110
120
2.5
130
mV
V
Current Sense Amplifier
A V
Amplifier DC Gain
Measured at I AVG Pin
15
V/V
V OS
Amplifier Input Offset Voltage
2V < V CMSENSE < 60V,
SENSE + – SENSE – = 5mV
q
0.1
mV
I BIAS
Input Bias Current
Sink (V CMSENSE > 5V)
Source (V CMSENSE = 0V)
q
q
45
700
75
1200
μ A
μ A
Oscillator
f O
Operating Frequency, Free Run
Frequency Programming Error
f O ≤ 200kHz, R CT = 16.9k, C CT = 1000pF
q
q
–5
200
5
kHz
%
I CT
V SYNC
f SYNC
Timing Capacitor Discharge Current
SYNC Input Threshold
SYNC Frequency Range
LT1680C
LT1680I
Rising Edge
f SYNC ≤ 200kHz
q
q
q
q
2.20
2.10
0.8
f O
2.5
2.5
2.75
2.75
2.0
1.4f O
mA
mA
V
Output Drivers
V GATE
t GATER
t GATEF
Undervoltage Output Clamp
Standby Mode Output Clamp
Gate Output On Voltage
Gate Output Off Voltage
Gate Output Rise Time
Gate Output Fall Time
12V IN ≤ 8.2V
V RUN < 0.5V
q
q
q
q
q
q
11
0.4
11.9
0.4
60
60
0.7
0.1
12
0.7
200
140
V
V
V
V
ns
ns
Note 1: Absolute Maximum Ratings are those values beyond which the life of
a device may be impaired.
Note 2: Supply current specification does not include external FET gate
charge currents. Actual supply currents will be higher and vary with
operating frequency, operating voltages and the type of external FETs used.
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3
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