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参数资料
| 型号： | LT1949-1EMS8 |
| 厂商： | LINEAR TECHNOLOGY CORP |
| 元件分类： | 稳压器 |
| 英文描述： | 1.5 A SWITCHING REGULATOR, 1350 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDSO8 |
| 封装： | PLASTIC, MSOP-8 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 222K |
| 代理商： | LT1949-1EMS8 |
6
LT1949-1
Figure 4. Recommended Component Placement for Boost
Converter. Note Direct High Current Paths Using Wide PC
Traces. Minimize Trace Area at Pin 1 (VC) and Pin 2 (FB).
Use Multiple Vias to Tie Pin 4 Copper to Ground Plane. Use
Vias at One Location Only to Avoid Introducing Switching
Currents into the Ground Plane
OPERATIO
U
Low-Battery Detector
The LT1949-1’s low-battery detector is a simple PNP input
gain stage with an open collector NPN output. The nega-
tive input of the gain stage is tied internally to a 200mV
±5% reference. The positive input is the LBI pin. Arrange-
ment as a low-battery detector is straightforward.
Figure 5 details hookup. R1 and R2 need only be low
enough in value so that the bias current of the LBI pin
doesn’t cause large errors. For R2, 49.9k is adequate. The
200mV reference can also be accessed as shown in
Figure 6. The low-battery detector remains active in
shutdown.
Figure 5. Setting Low-Battery Detector Trip Point
Figure 6. Accessing 200mV Reference
1
2
8
7
3
4
6
5
L1
C2
LBO
LBI
LT1949-1
VOUT
VIN
GND
SHUTDOWN
R1
R2
MULTIPLE
VIAs
GROUND PLANE
1949-1 F04
C1
APPLICATIO S I FOR ATIO
WU
UU
LBO
LBI
TO PROCESSOR
R1
1M
R2
49.9k
VIN
LT1949-1
1949-1 F05
3.3V
GND
200mV
INTERNAL
REFERENCE
–
+
R1 =
VLB – 200mV
4
A
VIN
LT1949-1
LBI
LBO
200k
10
F
GND
10k
1949-1 F06
2N3906
VREF
200mV
+
19491i
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PDF描述 |
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