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参数资料
| 型号： | LT4250LIS8#TR |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 236K |
| 描述： | IC CONTRLR HOTSWAP NEG 48V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 热交换控制器 |
| 应用： | 通用 |
| 内部开关： | 无 |
| 电源电压： | -20 V ~ -80 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | LT4250LIS8TR |
LT4250L/LT4250H
3
4250lhfa
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
DC
V
DD
Supply Voltage Operating Range
l 18
80
V
I
DD
Supply Current
UV = 3V , OV = V
EE
, SENSE = V
EE
l
1.6
5
mA
V
UVL
Undervoltage Lockout
15.4
V
V
CL
Current Limit Trip Voltage
V
CL
= (V
SENSE
V
EE
)
l
40
50
60
mV
I
PU
GATE Pin Pull-Up Current
Gate Drive On, V
GATE
= V
EE
l
30
45
60
糀
I
PD
GATE Pin Pull-Down Current
Gate Drive OFF
24
50
70
mA
I
SENSE
SENSE Pin Current
V
SENSE
= 50mV
20
糀
擵
GATE
External Gate Drive
(V
GATE
V
EE
), 18V d V
DD
d 80V
l
10
13.5
18
V
V
UVH
UV Pin High Threshold Voltage
UV Increasing
l
1.24
1.255
1.27
V
V
UVL
UV Pin Low Threshold Voltage
UV Decreasing
l
1.105
1.125
1.145
V
V
UVHY
UV Pin Hysteresis
130
mV
I
INUV
UV Pin Input Current
V
UV
= V
EE
l
0.02
0.5
糀
V
OVH
OV Pin High Threshold Voltage
OV Increasing
l
1.235
1.255
1.275
V
V
OVL
OV Pin Low Threshold Voltage
OV Decreasing
l
1.21
1.235
1.255
V
V
OVHY
OV Pin Hysteresis
20
mV
I
INOV
OV Pin Input Current
V
OV
= V
EE
l
0.03
0.5
糀
V
DL
DRAIN Low Threshold
V
DRAIN
V
EE
, DRAIN Decreasing
1.1
1.6
2.3
V
V
GH
GATE High Threshold
擵
GATE
V
GATE
Decreasing
1.3
V
I
DRAIN
Drain Input Bias Current
V
DRAIN
= 48V
l
10
80
500
糀
V
OL
PWRGD Output Low Voltage
PWRGD (LT4250L), (V
DRAIN
V
EE
) < V
DL
I
OUT
= 1mA
I
OUT
= 5mA
l
l
0.48
1.2
0.8
3
V
V
PWRGD Output Low Voltage
(PWRGD DRAIN)
PWRGD (LT4250H), V
DRAIN
= 5V
I
OUT
= 1mA
l
0.75
1
V
I
OH
Output Leakage
PWRGD (LT4250L), V
DRAIN
= 48V , V
PWRGD
= 80V
PWRGD (LT4250H), V
DRAIN
= 0V , V
PWRGD
= 80V
l
l
0.05
0.05
10
10
糀
糀
AC
t
PHLOV
OV High to GATE Low
Figures 1a, 2
1.7
約
t
PHLUV
UV Low to GATE Low
Figures 1a, 3
1.5
約
t
PLHOV
OV Low to GATE High
Figures 1a, 2
5.5
約
t
PLHUV
UV High to GATE High
Figures 1a, 3
6.5
約
t
PHLSENSE
SENSE High to Gate Low
Figures 1a, 4a
1
3
約
t
PHLCB
Current Limit to GATE Low
Figures 1b, 4b
500
約
t
PHLDL
DRAIN Low to PWRGD Low
DRAIN Low to (PWRGD DRAIN) High
(LT4250L) Figures 1a, 5a
(LT4250H) Figures 1a, 5a
1
1
約
約
t
PHLGH
GATE High to PWRGD Low
GATE High to (PWRGD DRAIN) High
(LT4250L) Figures 1a, 5b
(LT4250H) Figures 1a, 5b
1.5
1.5
約
約
The l denotes the speci cations which apply over the full operating
temperature range, otherwise speci cations are at T
A
= 25癈. (Note 2), V
DD
= 48V, V
EE
= 0V unless otherwise noted.
Note 1: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. Exposure to any Absolute
Maximum Rating condition for extended periods may affect device
reliability and lifetime.
Note 2: All currents into device pins are positive; all currents out of device
pins are negative. All voltages are referenced to V
EE
unless otherwise
speci ed.
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PDF描述 |
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