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参数资料
型号： LTC1412CG
厂商： Linear Technology
文件页数： 13/16页
文件大小： 0K
描述： IC A/D CONV 12BIT SAMPLNG 28SSOP
标准包装： 47
位数： 12
采样率（每秒）： 3M
数据接口： 并联
转换器数目： 1
功率耗散（最大）： 220mW
电压电源： 双 ±
工作温度： 0°C ~ 70°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商设备封装： 28-SSOP
包装： 管件
输入数目和类型： 2 个单端，双极；1 个差分，双极
6
LTC1412
TYPICAL PERFOR A CE CHARACTERISTICS
UW
RIPPLE FREQUENCY (Hz)
–80
AMPLITUDE
OF
POWER
SUPPLY
FEEDTHROUGH
(dB)
–40
0
–100
–60
–20
10k
100k
1M
10M
1412 G08
–120
1k
VSS
VDD
DGND
Power Supply Feedthrough
vs Ripple Frequency
INPUT FREQUENCY (Hz)
20
COMMON
MODE
REJECTION
(dB)
40
50
70
80
1k
100k
1M
10M
1412 G09
0
10k
60
30
10
Input Common Mode Rejection
vs Input Frequency
PIN FUNCTIONS
UU
U
AIN+ (Pin 1): Positive Analog Input. ±2.5V input range
when AIN– is grounded. ±2.5V differential if AIN– is
driven.
AIN– (Pin 2): Negative Analog Input. Can be grounded or
driven differentially with AIN+.
VREF (Pin 3): 2.5V Reference Output.
REFCOMP (Pin 4): 4.06V Reference Bypass Pin.
Bypass to AGND with 10
F ceramic (or 10F tantalum in
parallel with 0.1
F ceramic).
AGND (Pin 5): Analog Ground.
D11 to D4 (Pins 6 to 13): Three-State Data Outputs.
DGND (Pin 14): Digital Ground for Internal Logic.
D3 to D0 (Pins 15 to 18): Three-State Data Outputs.
DGND (Pin 19): Digital Ground for Internal Logic.
DVDD (Pin 20): 5V Positive Supply. Tie to Pin 28. Bypass
to AGND with 0.1
F ceramic.
OVDD (Pin 21): Positive Supply for the Output Drivers. Tie
to Pin 28 when driving 5V logic. Tie to 3V when driving
3V logic.
OGND (Pin 22): Digital Ground for the Output Drivers.
CONVST (Pin 23): Conversion Start Signal. This active low
signal starts a conversion on its falling edge.
CS (Pin 24): Chip Select. This input must be low for the
ADC to recognize the CONVST inputs.
BUSY (Pin 25): The BUSY Output Shows the Converter
Status. It is low when a conversion is in progress.
VSS (Pin 26): – 5V Negative Supply. Bypass to AGND with
10
F ceramic (or 10F tantalum in parallel with 0.1F
ceramic).
DVDD (Pin 27): 5V Positive Supply. Tie to Pin 28.
AVDD (Pin 28): 5V Positive Supply. Bypass to AGND with
10
F ceramic (or 10F tantalum in parallel with 0.1F
ceramic).
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