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参数资料
| 型号： | LTC1444CS |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC COMP W/REF LOWPWR QUAD 16SOIC |
| 标准包装： | 50 |
| 类型： | 带电压基准 |
| 元件数： | 4 |
| 输出类型： | CMOS，开路漏极，TTL |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2 V ~ 11 V，±1 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 输入偏移（最小值）： | 10mV @ 5V |
| 电流 - 输出（标准）： | 0.015mA @ 5V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 8.5µA |
| CMRR, PSRR（标准）： | 80dB CMRR，80dB PSRR |
| 传输延迟（最大）： | 12µs |
| 磁滞： | 50mV |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 管件 |
LTC1443/LTC1444/LTC1445
10
144345fe
applicaTions inForMaTion
Level Detector
The LTC1444 is ideal for use as a multisupply micropower
level detector as shown in Figure 5.
R1 and R2 form a voltage divider from V1 to the non-
inverting comparator A input. R6 and R7 are used to
divide down V2, while R8 is the output pull-up resistor
for the comparator outputs. R3 and R4 set the hysteresis
voltage and R5 and C1 bypass the reference output.
IN A+
5
OUT B
OUT A
V+
R3
15k, 1%
R5
430
5%
R4
2.4M
1%
C1
1.0F
IN A–
HYST
REF
4
14
8
IN B+
7
IN B–
6
–
+
144345 F05
1/2LTC1444
3
9
2
1
R1
1.21M
1%
R2
3.40M
1%
V1
R7
1.21M
1%
R6
1.82M
1%
V2
R8
2M
1%
5V
–
+
V–
1.2V
+–
Figure 5. Glitch-Free Level Detector with Hysteresis
The following design procedure can be used to select the
component values:
1. Choose the V1 voltage trip level, in this example 4.65V.
2. Calculate the required resistive divider ratio.
Ratio = VREF/VIN
Ratio = 1.221V/4.65V = 0.263
3. Choosetherequiredhysteresisvoltagebandattheinput,
VHBIN, in this example 60mV. Calculate the hysteresis
voltage band referred to the comparator input VHB.
VHB = (VHBIN)(Ratio)
VHB = (60mV)(0.263)
VHB = 15.78mV
4. Choose the values for R3 and R4 to set the hysteresis.
R4 = 2.4M
R3(kΩ) = VHB = 15k
5. Choose the values for R1 and R2 to set the trip point.
R1 = VREF/IBIAS = 1.221V/1A ≈ 1.21M
R2
= R1
( )
VIN
VREF +
VHB
2
1
R2
= 1.21M
(
)
4.65V
1.221V
+ 15mV
2
1
R2
= 3.40M
Using the same equations, R6 and R7 are 1.82M and
1.21M, respectively, to set the trip level at 3V for V2.
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参数描述 |
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