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参数资料
| 型号： | LTC1558CS8-3.3#PBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 17/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BACKUP BATT CNTRLR 3.3V 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 功能： | 备份管理 |
| 电池化学： | 镍镉 |
| 电源电压： | 2.9 V ~ 3.46 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
LTC1558-3.3/LTC1558-5
TYPICAL APPLICATIO N S
LTC1558-5 High Main Battery Voltage (48V) Application
L11 ?
22 μ H
BATTERY
1.2V
Q12
2N3906
R16
R15
100k
Z11
12V
D11
MBR170
BACKUP
R14
14k
NiCd
RESET
PUSHBUTTON
+
C11
47 μ F
6.3V
3
2
1
SW
V CC
CTL V BAK
LTC1558-5
RESET
GND BACKUP
7
8
5
6
+
C12
1 μ F
RESET
BACKUP
100k
FB
4
Q11
P-CHANNEL
MTD2955E
R11
422k
1%
D1
1N4148
D2
1N4148
Q1
P-CHANNEL
+
C IN
100 μ F
100V
C6
0.1 μ F
MAIN
BATTERY
48V
R12
100k
1%
C2
0.068 μ F
1
PGATE
CAP
16
MTD2955E
L1*
68 μ H
R SENSE **
0.04 ?
V OUT
5V
+
C3
3.3 μ F
C1
0.047 μ F
C4
470pF
R C
1k
2
3
4
5
6
7
8
V IN SHUTDOWN 2
V CC RGND
P-DRIVE NGATE
LTC1149-5
V CC PGND
C T SGND
I TH
SHUTDOWN 1
–
SENSE +
SENSE
15
14
13
12
11
10
9
Q2
N-CHANNEL
IRFZ34
SHUTDOWN
D3
MBR380
R3
100 ?
+
2.5A
C OUT
220 μ F
10V
OS-CON
C C
3300pF
C5
1000pF
R4
100 ?
1558 TA05
SUMIDA CD54-220
*HURRICANE LAB HL-KI168M
**IRC LR2512-01-RO40-5
?
Typical “High Voltage” Application
The maximum main battery voltage is 48V.
The Schottky diode D11 (MBR170) prevents the main
battery’s high terminal voltage from overstressing the
LTC1558’s V BAK pin during nonbackup conditions. An
internal Zener inside the LTC1558 will clamp V BAK to 12V
when the MBR170’s reverse bias leakage current
increases at high temperature.
As shown above, the design must ensure that V BAT does
During nonbackup mode, the LTC1558’s open-drain
BACKUP pin is low. The external 12V Zener and 2N3906
conduct and the MTD2955E’s V GS is clamped at approxi-
mately 12V. During backup, the BACKUP pin floats and the
2N3906’s base voltage is pushed nearer to V BAK . The
MTD2955E is effectively turned off, isolating the main
battery from V BAK during backup.
The main battery pack should have an internal control to
shut itself down once its energy is used up. This prevents
it from deep discharge damage.
not force the external P-channel MOSFET’s V GS above its
maximum rating (15V for the MTD2955E) shown during
nonbackup mode.
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