参数资料
| 型号： | LTC1742CFW#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 15/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ADC 14BIT 65MSPS 48-TSSOP |
| 标准包装： | 1,800 |
| 位数： | 14 |
| 采样率（每秒）： | 65M |
| 数据接口： | 并联 |
| 转换器数目： | 1 |
| 功率耗散（最大）： | 1.38W |
| 电压电源： | 单电源 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 输入数目和类型： | 2 个单端，双极；1 个差分，双极 |
4
LTC1742
1742f
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
t0
ENC Period
(Note 9)
q
15.3
2000
ns
t1
ENC High
(Note 8)
q
7.3
1000
ns
t2
ENC Low
(Note 8)
q
7.3
1000
ns
t3
Aperture Delay
(Note 8)
0
ns
t4
ENC to CLKOUT Falling
CL = 10pF (Note 8)
q
1
2.4
4
ns
t5
ENC to CLKOUT Rising
CL = 10pF (Note 8)
t1 + t4
ns
For 65Msps 50% Duty Cycle
CL = 10pF (Note 8)
q
8.7
10.1
11.7
ns
t6
ENC to DATA Delay
CL = 10pF (Note 8)
q
2
4.9
7.2
ns
t7
ENC to DATA Delay (Hold Time)
(Note 8)
q
1.4
3.4
4.7
ns
t8
ENC to DATA Delay (Setup Time)
CL = 10pF (Note 8)
t0 – t6
ns
For 65Msps 50% Duty Cycle
CL = 10pF (Note 8)
q
8.2
10.5
13.4
ns
t9
CLKOUT to DATA Delay (Hold Time),
(Note 8)
q
7ns
65Msps 50% Duty Cycle
t10
CLKOUT to DATA Delay (Setup Time),
CL = 10pF (Note 8)
q
3ns
65Msps 50% Duty Cycle
t11
DATA Access Time After OE
CL = 10pF (Note 8)
10
25
ns
t12
BUS Relinquish
(Note 8)
10
25
ns
Data Latency
5
cycles
The q indicates specifications which apply over the full operating temperature
range, otherwise specifications are at TA = 25°C. (Note 5)
TI I G CHARACTERISTICS
U
W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VDD
Positive Supply Voltage
4.75
5.25
V
IDD
Positive Supply Current
q
255
275
mA
PDIS
Power Dissipation
q
1.275
1.375
W
OVDD
Digital Output Supply Voltage
0.5
VDD
V
The q indicates specifications which apply over the full operating temperature
range, otherwise specifications are at TA = 25°C. (Note 5)
POWER REQUIRE E TS
W
U
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VIH
High Level Input Voltage
VDD = 5.25V, MSBINV and OE
q
2.4
V
VIL
Low Level Input Voltage
VDD = 4.75V, MSBINV and OE
q
0.8
V
IIN
Digital Input Current
VIN = 0V to VDD
q
±10
A
CIN
Digital Input Capacitance
MSBINV and OE Only
1.5
pF
VOH
High Level Output Voltage
OVDD = 4.75V
IO = –10A
4.74
V
IO = – 200A
q
4
4.74
V
VOL
Low Level Output Voltage
OVDD = 4.75V
IO = 160A
0.05
V
IO = 1.6mA
q
0.1
0.4
V
IOZ
Hi-Z Output Leakage D13 to D0
VOUT = 0V to VDD, OE = High
q
±10
A
COZ
Hi-Z Output Capacitance D13 to D0
OE = High (Note 8)
q
15
pF
ISOURCE
Output Source Current
VOUT = 0V
– 50
mA
ISINK
Output Sink Current
VOUT = 5V
50
mA
The q indicates specifications which apply over the full
operating temperature range, otherwise specifications are at TA = 25°C. (Note 5)
DIGITAL I PUTS A D DIGITAL OUTPUTS
U
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