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参数资料
型号： LTC2052CS
英文描述： OP-AMP|QUAD|CMOS|SOP|14PIN|PLASTIC
中文描述： 运放|四|的CMOS |专科| 14PIN |塑料
文件页数： 6/12页
文件大小： 169K
代理商： LTC2052CS
3
LTC2050/LTC2050HV
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Offset Voltage
(Note 2)
±0.5
±3
V
Average Input Offset Drift
(Note 2)
q
±0.03
V/°C
Long-Term Offset Drift
50
nV/
√mo
Input Bias Current
LTC2050
±75
±150
pA
q
±300
pA
LTC2050HV
±7
±50
pA
q
±150
pA
Input Offset Current
LTC2050
±300
pA
q
±400
pA
LTC2050HV
±100
pA
q
±200
pA
Input Noise Voltage
RS = 100, 0.01Hz to 10Hz
1.5
VP-P
Common Mode Rejection Ratio
VCM = GND to (V
+ – 1.3)
120
130
dB
VCM = GND to (V+ – 1.3)
q
115
130
dB
Power Supply Rejection Ratio
VS = 2.7V to 6V
120
130
dB
q
115
130
dB
Large-Signal Voltage Gain
RL = 10k
125
140
dB
q
120
140
dB
Output Voltage Swing High
RL = 2k to GND
q
4.85
4.94
V
RL = 10k to GND
q
4.95
4.98
V
Output Voltage Swing Low
RL = 2k to GND
q
110
mV
RL = 10k to GND
q
110
mV
Slew Rate
2V/
s
Gain Bandwidth Product
3
MHz
Supply Current
VSHDN = VIH, No Load
q
0.8
1.2
mA
VSHDN = VIL
q
15
A
Shutdown Pin Input Low Voltage (VIL)
q
V– + 0.5
V
Shutdown Pin Input High Voltage (VIH)
q
V+ – 0.5
V
Shutdown Pin Input Current
VSHDN = GND
q
– 0.5
– 7
A
Internal Sampling Frequency
7.5
kHz
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Large-Signal Voltage Gain
RL = 10k
120
140
dB
q
115
140
dB
Output Voltage Swing High
RL = 2k to GND
q
2.85
2.94
V
RL = 10k to GND
q
2.95
2.98
V
Output Voltage Swing Low
RL = 2k to GND
q
110
mV
RL = 10k to GND
q
110
mV
Slew Rate
2V/
s
Gain Bandwidth Product
3
MHz
Supply Current
VSHDN = VIH, No Load
q
0.75
1.1
mA
VSHDN = VIL
q
10
A
Shutdown Pin Input Low Voltage (VIL)
q
V– + 0.5
V
Shutdown Pin Input High Voltage (VIH)
q
V+ – 0.5
V
Shutdown Pin Input Current
VSHDN = GND
q
– 0.5
– 3
A
Internal Sampling Frequency
7.5
kHz
The q denotes specifications which apply over the full operating
temperature range, otherwise specifications are at TA = 25°C. VS = 3V unless otherwise noted. (Note 3)
ELECTRICAL C
C
HARA TERISTICS
(LTC2050, LTC2050HV) VS = 5V unless otherwise noted. (Note 3)
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PDF描述
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参数描述
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