参数资料
| 型号： | LTC3830ES8 |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 19/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 250kHz |
| 占空比： | 95% |
| 电源电压： | 3 V ~ 8 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1336 (CN2011-ZH PDF) |
LTC3830/LTC3830-1
APPLICATIO S I FOR ATIO
3. The small-signal resistors and capacitors for frequency
compensation and soft-start should be located very close
to their respective pins and the ground ends connected to
the signal ground pin through a separate trace. Do not
connect these parts to the ground plane!
4. The V CC , PV CC1 and PV CC2 decoupling capacitors should
be as close to the LTC3830 as possible. The 4.7 μ F and 1 μ F
bypass capacitors shown at V CC , PV CC1 and PV CC2 will help
provide optimum regulation performance.
PV CC
5. The (+) plate of C IN should be connected as close as
possible to the drain of the upper MOSFET, Q1. An addi-
tional 1 μ F ceramic capacitor between V IN and power ground
is recommended.
6. The SENSE and V FB pins are very sensitive to pickup from
the switching node. Care should be taken to isolate SENSE
and V FB from possible capacitive coupling to the inductor
switching signal. Connecting the SENSE + and SENSE – close
to the load can significantly improve load regulation.
7. Kelvin sense I MAX and I FB at Q1’s drain and source pins.
V IN
4.7 μ F
+
1 μ F
100 ?
V CC
PV CC2
PV CC1
PGND
1 μ F
0.1 μ F
+
C IN
GND
LTC3830
G1
I MAX
1k
Q1A
Q1B
L O
NC
FREQSET
SHDN
COMP
I FB
SENSE +
G2
Q2
V OUT
C1
SS
FB
NC
+
SENSE –
C OUT
R C
C C
C SS
GND
GND
PGND
PGND
3830 F11
Figure 11. Typical Schematic Showing Layout Considerations
3830fa
19
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PDF描述 |
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