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参数资料
| 型号： | LTC3856IUH#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 5/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM CM 38-QFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PolyPhase® |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 850kHz |
| 占空比： | 94% |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 38 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 32-WFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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LTC3856
ELECTRICAL CHARACTERISTICS The l denotes the specifications which apply over the full operating
junction temperature range, otherwise specifications are at T A = 25°C (Note 2). V IN = 15V, V RUN = 5V, unless otherwise noted.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Differential Amplifier
A DA
Gain
E-Grade
I-Grade
l
l
0.998
0.997
1
1
1.002
1.003
V/V
V/V
R IN
V OS
PSRR
I CL
Input Resistance
Input Offset Voltage
Power Supply Rejection Ratio
Maximum Output Current
Measured at DIFFP Input
V DIFFP = V DIFFOUT = 1.5V, I DIFFOUT = 100μA
4.5V < V IN < 38V
2
80
100
3
2
kΩ
mV
dB
mA
V OUT(MAX)
Maximum Output Voltage
I DIFFOUT = 300μA
V INTVCC V INTVCC
–1.4 –1.1
V
On-Chip Drive r
TG R UP
TG R DOWN
BG R UP
BG R DOWN
GBW
SR
TG Pull-Up R DS(ON)
TG Pull-Down R DS(ON)
BG Pull-Up R DS(ON)
BG Pull-Down R DS(ON)
Gain-Bandwidth Product
Slew Rate
TG High
TG Low
BG High
BG Low
(Note 8)
(Note 8)
2.6
1.5
2.4
1.1
3
2
Ω
Ω
Ω
Ω
MHz
V/μs
Stage Shedding Mode
I ISET
Programmable Stage Shedding
Mode Current
6.5
7.5
8.5
μA
AVP (Active Voltage Positioning)
V AVP
Maximum V OUT with AVP
2.5
V
I SINK
I SOURCE
Sink Current of AVP Pin
Source Current of AVP Pin
SENSE + = 1.2V
SENSE + = 1.2V
250
2
μA
mA
V AVP -V O(MAX) Maximum Voltage Drop V AVP to V O
SENSE + = 1.2V
120
mV
Note 1: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. Exposure to any Absolute
Maximum Rating condition for extended periods may affect device
reliability and lifetime.
Note 2: The LTC3856 is tested under pulse load conditions such that
T J ≈ T A . The LTC3856E is guaranteed to meet performance specifications
from 0°C to 85°C operating junction temperature. Specifications over
the –40°C to 125°C operating junction temperature range are assured by
design, characterization and correlation with statistical process controls.
The LTC3856I is guaranteed to meet performance specifications over the
full –40°C to 125°C operating junction temperature range.
Note 3: T J is calculated from the ambient temperature, T A , and power
dissipation, P D , according to the following formula:
Note 4: The LTC3856 is tested in a feedback loop that servos V ITH to a
specified voltage and measures the resultant V FB .
Note 5: Dynamic supply current is higher due to the gate charge being
delivered at the switching frequency. See the Applications Information
section.
Note 6: Rise and fall times are measured using 10% and 90% levels. Delay
times are measured using 50% levels.
Note 7: The minimum on-time condition corresponds to the on inductor
peak-to-peak ripple current ≥40% of I MAX (see Minimum On-Time
Considerations in the Applications Information section).
Note 8: Guaranteed by design.
LTC3856UH: T J = T A + (P D ? 34°C/W)
LTC3856FE: T J = T A + (P D ? 25°C/W)
3856f
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