型号: | M-MU/MU-20M5 |
厂商: | METHODE ELECTRONICS INC |
元件分类: | 连接器件 |
英文描述: | INTERCONNECTION DEVICE |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 226K |
代理商: | M-MU/MU-20M5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMUN2111 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
MMUN2111L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k |
MMUN2111LT1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
MMUN2111LT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistors |
MMUN2111LT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |