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MBR2010+0CT

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MBR2010+0CT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
TSC
TO220
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

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MBR2010+0CT 技术参数

MBR20030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR20030CT 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR200100CTS 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 80V 安装类型:螺钉安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:25 MBR1660 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 16A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR1645 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）:16A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:630mV @ 16A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 45V 不同?Vr，F 时的电容:1400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR20100CT MBR20100CT C0G MBR20100CT-1 MBR20100CT-BP MBR20100CT-E1 MBR20100CT-E3/4W MBR20100CTE3/TU MBR20100CTF-E1 MBR20100CTF-G1 MBR20100CTG MBR20100CT-G MBR20100CT-G1 MBR20100CTHC0G MBR20100CT-LJ MBR20100CT-M3/4W MBR20100CTP MBR20100CTPBF MBR20100CTTU