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MBR20100000CT

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:何芝

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MBR20100000CT 技术参数
  • MBR20100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):880mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR20030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR20030CT 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:双塔架 供应商器件封装:双塔架 标准包装:25 MBR200100CTS 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):950mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 80V 安装类型:螺钉安装 封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:25 MBR1660 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 16A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 60V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR20100CT C0G MBR20100CT-1 MBR20100CT-BP MBR20100CT-E1 MBR20100CT-E3/4W MBR20100CTE3/TU MBR20100CTF-E1 MBR20100CTF-G1 MBR20100CTG MBR20100CT-G MBR20100CT-G1 MBR20100CTHC0G MBR20100CT-LJ MBR20100CT-M3/4W MBR20100CTP MBR20100CTPBF MBR20100CTTU MBR20100FCT-BP
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