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MCH5810-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
SANYO
SOT25/SOT353
04+
-
全新原装100%正品保证质量

MCH5810-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
SANYO
SOT25/SOT353
04+
-
全新原装100%正品保证质量

MCH5810-TL-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
SANYO
SOT25/SOT353
04+
-
全新原装100%正品保证质量

MCH5810-TL-E
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
63000
SANYO
MCPH5
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

MCH5810-TL-E
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9866
SANYO
SOT25/
04+
-
绝对公司原装现货

MCH5810-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SANYO
MCPH5
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

MCH5810-TL-E
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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MCH5810-TL-E 技术参数

MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，扁平引线供应商器件封装:4-MCPH 标准包装:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 900mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标准包装:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 2A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:800mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:890 毫欧 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:83 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-MCPH 标准包装:1 MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E MCH6203-TL-E MCH6320-TL-E MCH6320-TL-W MCH6321-TL-W MCH6331-TL-E MCH6331-TL-H MCH6331-TL-W MCH6336-P-TL-E MCH6336-S-TL-E MCH6336-TL-H MCH6336-TL-W MCH6337-TL-E

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