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MSMBG110CAE3

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
MSMBG110CAE3 技术参数
  • MSMBG110CA 功能描述:TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:110V 电压 - 击穿（最小值）:122V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:177V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.4A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG110AE3 功能描述:TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:110V 电压 - 击穿（最小值）:122V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:177V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.4A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG110A 功能描述:TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:110V 电压 - 击穿（最小值）:122V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:177V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.4A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG10CAE3 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:10V 电压 - 击穿（最小值）:11.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:35.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG10CA 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:10V 电压 - 击穿（最小值）:11.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:35.3A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AA，SMB 鸥翼型 供应商器件封装:SMBG（DO-215AA） 标准包装:1 MSMBG12AE3 MSMBG12CA MSMBG12CAE3 MSMBG130A MSMBG130AE3 MSMBG130CA MSMBG130CAE3 MSMBG13A MSMBG13AE3 MSMBG13CA MSMBG13CAE3 MSMBG14A MSMBG14AE3 MSMBG14CA MSMBG14CAE3 MSMBG150A MSMBG150AE3 MSMBG150CA
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