MUR260ATG

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MUR260ATG 技术参数

MUR2510R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:25A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 25A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR2510 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 25A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:25A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 25A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR20010CTR 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MUR20010CT 功能描述:DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MUR160-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 MUR2X060A04 MUR2X060A06 MUR2X060A10 MUR2X060A12 MUR2X100A02 MUR2X100A04 MUR2X100A06 MUR2X100A10 MUR2X100A12 MUR2X120A02 MUR2X120A04 MUR2X120A06 MUR2X120A10 MUR2X120A12 MUR30005CT MUR30005CTR MUR30010CT MUR30010CTR