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参数资料
| 型号： | M1MA151WK |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.1 A, 40 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | CASE 318D-03, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | M1MA151WK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5113DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5116DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5113DW1T3 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5130DW1T3 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5132DW1T3 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M1MA151WKLT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Common Anode Silicon Dual Switching diodes |
| M1MA151WKLT1G | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Common Anode Silicon Dual Switching diodes |
| M1MA151WKT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| M1MA151WKT1_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Common Cathode Silicon Dual Switching Diodes |
| M1MA151WKT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO 40V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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