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参数资料
| 型号： | M1MA152AT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 46K |
| 描述： | DIODE SW SS 100MA 80V SC-59 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 100mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 3ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SC-59 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
      M1MA151AT1, M1MA152AT1 http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C) Characteristic Symbol Condition Min Max Unit Reverse Voltage Leakage Current M1MA151AT1 M1MA152AT1 IR VR = 35 V VR = 75 V ? 0.1 Adc Forward Voltage VF IF = 100 mA ? 1.2 Vdc Reverse Breakdown Voltage M1MA151AT1 M1MA152AT1 VR IR = 100 A 40 80 ? Vdc Diode Capacitance CD VR = 0, f = 1.0 MHz ? 2.0 pF Reverse Recovery Time (Figure 1) trr (Note 2) IF = 10 mA, V R = 6.0 V, RL = 100 , Irr = 0.1 I R ? 3.0 ns 2. trr Test Circuit A RL tr tp t 10% 90% VR tp = 2 s tr = 0.35 ns IF trr t Irr = 0.1 I R IF = 10 mA VR = 6 V RL = 100 RECOVERY TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT INPUT PULSE OUTPUT PULSE Figure 1. Reverse Recovery Time Equivalent Test Circuit ORDERING INFORMATION Device Package Shipping? M1MA151AT1 SC?59 3000 /Tape & Reel M1MA151AT1G SC?59 (Pb?Free) M1MA152AT1 SC?59 M1MA152AT1G SC?59 (Pb?Free) ?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M1MA152KT1G | DIODE SW SS 100MA 80V SC-59 |
| M1MA174T1G | DIODE SW SS 200MA 100V SOT-323 |
| M5010035V | MODULE POWER 100A 1200V SCR BRDG |
| MBR0520LT3 | DIODE SCHOTTKY 0.5A 20V SOD-123 |
| MBR0520L | DIODE SCHOTTKY 0.5A 20V SOD-123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M1MA152K | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Surface Mount Switching Diode |
| M1MA152KT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| M1MA152KT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| M1MA152WA | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:Common Anode Silicon Dual Switching Diodes |
| M1MA152WALT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Common Anode Silicon Dual Switching diodes |
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