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参数资料
| 型号： | M1MA174T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 56K |
| 描述： | DIODE SW SS 200MA 100V SOT-323 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
M1MA174T1
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SC±70 (SOT±323)
CASE 419±04
ISSUE L
C
N
A
L
D
G
S
B
H
J
K
3
12
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A0.071 0.087 1.80 2.20
B0.045 0.053 1.15 1.35
C0.032 0.040 0.80 1.00
D0.012 0.016 0.30 0.40
G0.047 0.055 1.20 1.40
H0.000 0.004 0.00 0.10
J0.004 0.010 0.10 0.25
K0.017 REF 0.425 REF
L0.026 BSC 0.650 BSC
N0.028 REF 0.700 REF
S0.079 0.095 2.00 2.40
0.05 (0.002)
STYLE 2:
PIN 1. ANODE
2. N.C.
3. CATHODE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCB105DHLD | CONN EDGECARD 210PS DIP .050 SLD |
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| VE-J0P-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M1MA174T1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Switching Diode |
| M1MA174T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| M1-MA-EA-AJ | 制造商:Johnson Electric / Saia-Burgess 功能描述:3position lowdepth random key lockswitch 制造商:Johnson Electric / Saia-Burgess 功能描述:KEY SW./2 3POS. RAND.KEY 制造商:Saia Burgess 功能描述:KEY SW./2 3POS. RAND.KEY |
| M1MAWAT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Common Anode Silicon Dual Switching diodes |
| M1MCAAAE | 制造商:Johnson Electric / Saia-Burgess 功能描述:KEYSWITCH DPDT 2 POS RANDOM KEY |
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