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参数资料
| 型号： | M25P16-VMF3TP |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位统一部门，串行闪存 |
| 文件页数： | 39/55页 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | M25P16-VMF3TP |
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M25P16
DC and AC parameters
39/55
Table 14.
DC characteristics
Symbol
Parameter
Test condition (in addition
to those in
Table 10
)
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input leakage current
± 2
μA
I
LO
Output leakage current
± 2
μA
I
CC1
Standby current
Grade 6
S = V
CC
, V
IN
= V
SS
or
V
CC
50
μA
Grade 3
100
μA
I
CC2
Deep Power-down
current
Grade 6
S = V
CC
, V
IN
= V
SS
or
V
CC
10
μA
Grade 3
100
μA
I
CC3
Operating current (READ)
C = 0.1V
CC
/ 0.9.V
CC
at
50 MHz, Q = open
8
mA
C = 0.1V
CC
/ 0.9.V
CC
at
20 MHz, Q = open
4
mA
I
CC4
Operating current (PP)
S = V
CC
15
mA
I
CC5
Operating current (WRSR)
S = V
CC
15
mA
I
CC6
Operating current (SE)
S = V
CC
15
mA
I
CC7
Operating current (BE)
S = V
CC
15
mA
V
IL
Input low voltage
– 0.5
0.3V
CC
V
V
IH
Input high voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.4
V
V
OL
Output low voltage
I
OL
= 1.6 mA
I
OH
= –100
μA
0.4
V
V
OH
Output high voltage
V
CC
–0.2
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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