型号: | M28F101-100XN3 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
中文描述: | 1 MB的128K的× 8,芯片擦除闪存 |
文件页数: | 6/23页 |
文件大小: | 197K |
代理商: | M28F101-100XN3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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M28F101-100XK6 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
M28F101-100XK3 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
M28F101-100P6 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
M28F101-100P3 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
M28F101-100P1 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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M28F101-100XN6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
M28F101-100XP1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
M28F101-100XP3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
M28F101-100XP6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
M28F101-120K1 | 功能描述:闪存 RO 511-M29F010B90K PLCC-32 128KX8 120NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |