- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299432 > M28R400CTB120ZB1T (意法半导体) 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M28R400CTB120ZB1T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（256Kb的x16插槽，引导块）1.8V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 29/50页 |
| 文件大小： | 755K |
| 代理商： | M28R400CTB120ZB1T |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页当前第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页
35/50
Table 27. Device Geometry Definition
Offset Word
Mode
Data
Description
Value
27h
0013h
Device Size = 2n in number of bytes
512 MByte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async.
2Ah
2Bh
0002h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2n
4
2Ch
0002h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing contiguous
Erase Blocks of the same size.
2
M
28R4
00CT
2Dh
2Eh
0006h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0006h+1
7
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64 KByte
31h
32h
0007h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
33h
34h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8 KByte
M
28R
400C
B
2Dh
2Eh
0007h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
2Fh
30h
0020h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0020h * 256 byte
8 KByte
31h
32h
0006h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 0006h+1
7
33h
34h
0000h
0001h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0100h * 256 byte
64 KByte
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28R400CTB120ZB6T | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTB90ZB1T | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTB90ZB6T | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTT120ZB1T | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28W320ECT10N1F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28R400CTB120ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTB90ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTB90ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CT-KGD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Known Good Die 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400CTT120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。