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参数资料
| 型号： | M28W160BB70GBT |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 15/45页 |
| 文件大小： | 343K |
| 代理商： | M28W160BB70GBT |
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M28W160BT, M28W160BB
Table 6. Program, Erase Times and Program/Erase Endurance Cycles
Parameter
Test Conditions
M28W160B
Unit
Min
Typ
Max
Word Program
V
PP
= V
DD
10
200
μs
Double Word Program
V
PP
= 12V ±5%
10
200
μs
Main Block Program
V
PP
= 12V ±5%
0.16
5
s
V
PP
= V
DD
0.32
5
s
Parameter Block Program
V
PP
= 12V ±5%
0.02
4
s
V
PP
= V
DD
0.04
4
s
Main Block Erase
V
PP
= 12V ±5%
1
10
s
V
PP
= V
DD
1
10
s
Parameter Block Erase
V
PP
= 12V ±5%
0.8
10
s
V
PP
= V
DD
0.8
10
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| M28W160BB70-NT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| M28W160BB70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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