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参数资料
| 型号： | M28W160BT100-NT |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 25/45页 |
| 文件大小： | 343K |
| 代理商： | M28W160BT100-NT |
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25/45
M28W160BT, M28W160BB
Table 14. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if V
PP
is seen as a logic input (V
PP
< 3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
M28W160B
Unit
70
85
90
100
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min
70
85
90
100
ns
t
AVEH
t
AS
Address Valid to Chip Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Valid to Chip Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
EHAX
t
AH
Chip Enable High to Address Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Data Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
EHGL
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
90
100
ns
t
QVVPL(1,2)
Output Valid to V
PP
Low
Min
0
0
0
0
ns
t
QVWPL
Data Valid to Write Protect Low
Min
0
0
0
0
ns
t
VPHEH(1)
t
VPS
V
PP
High to Chip Enable High
Min
200
200
200
200
ns
t
WLEL
t
CS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
WPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
Min
45
45
50
50
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160BT706T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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| M28W160BT856T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160BT85GBT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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参数描述 |
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