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参数资料
| 型号： | M28W320EBT10N1 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（处理器x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 5/45页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | M28W320EBT10N1 |
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M28W320EBT, M28W320EBB
ditionally, if the suspend operation was Erase then
the Program, Double Word Program and Quadru-
ple Word Program commands will also be accept-
ed. Only the blocks not being erased may be read
or programmed correctly.
During a Program/Erase Suspend, the device can
be placed in a pseudo-standby mode by taking
Chip Enable to VIH. Program/Erase is aborted if
Reset turns to VIL.
See Appendix C, Figure 19, Program Suspend &
Resume Flowchart and Pseudo Code, and Figure
21, Erase Suspend & Resume Flowchart and
Pseudo Code for flowcharts for using the Program/
Erase Suspend command.
Program/Erase Resume Command
The Program/Erase Resume command can be
used to restart the Program/Erase Controller after
a Program/Erase Suspend operation has paused
it. One Bus Write cycle is required to issue the
command. Once the command is issued subse-
quent Bus Read operations read the Status Reg-
ister.
See Appendix C, Figure 19, Program or Double
Word Program Suspend & Resume Flowchart and
Pseudo Code, and Figure 21, Erase Suspend &
Resume Flowchart and Pseudo Code for flow-
charts for using the Program/Erase Resume com-
mand.
Block Protection
Two parameter/lockable blocks (blocks #0 and #1)
can be protected against Program or Erase oper-
ations. Unprotected blocks can be programmed or
erased.
To protect the two lockable blocks set Write Pro-
tect to VIL. When VPP is below VPPLK all blocks are
protected. Any attempt to Program or Erase pro-
tected blocks will abort, the data in the block will
not be changed and the Status Register outputs
the error.
Table 6, Memory Blocks Protection Truth Table,
defines the protection methods.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W320EBT10N1T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10N6 | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10N6T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB1 | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB1T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W320EBT70ZB6T | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320ECB70ZB6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 32MBIT 2MX16 70NS 47TFBGA - Trays |
| M28W320ECB70ZB6T | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320ECT70ZB6 | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320ECT70ZB6T | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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