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参数资料
| 型号： | M28W320EBT10N6 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（处理器x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 28/45页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | M28W320EBT10N6 |
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M28W320EBT, M28W320EBB
34/45
Table 25. CFI Query System Interface Information
Offset
Data
Description
Value
1Bh
0027h
VDD Logic Supply Minimum Program/Erase or Write voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
2.7V
1Ch
0036h
VDD Logic Supply Maximum Program/Erase or Write voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
3.6V
1Dh
00B4h
VPP [Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
HEX value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
11.4V
1Eh
00C6h
VPP [Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
HEX value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
12.6V
1Fh
0004h
Typical timeout per single word program = 2n s
16s
20h
0004h
Typical timeout for Double/ Quadruple Word Program = 2n s
16s
21h
000Ah
Typical timeout per individual block erase = 2n ms
1 s
22h
0000h
Typical timeout for full chip erase = 2n ms
NA
23h
0005h
Maximum timeout for word program = 2n times typical
512s
24h
0005h
Maximum timeout for Double/ Quadruple Word Program = 2n times typical
512s
25h
0003h
Maximum timeout per individual block erase = 2n times typical
8 s
26h
0000h
Maximum timeout for chip erase = 2n times typical
NA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W320EBT10N6T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB1 | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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| M28W320EBT10ZB6 | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W320EBT10ZB6T | 32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W320EBT70ZB6T | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320ECB70ZB6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 32MBIT 2MX16 70NS 47TFBGA - Trays |
| M28W320ECB70ZB6T | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320ECT70ZB6 | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320ECT70ZB6T | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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