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参数资料
| 型号： | M28W320ECB10N1F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 32/53页 |
| 文件大小： | 832K |
| 代理商： | M28W320ECB10N1F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页当前第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页
38/53
Table 28. CFI Query System Interface Information
Offset
Data
Description
Value
1Bh
0027h
VDD Logic Supply Minimum Program/Erase or Write voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
2.7V
1Ch
0036h
VDD Logic Supply Maximum Program/Erase or Write voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
3.6V
1Dh
00B4h
VPP [Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
HEX value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
11.4V
1Eh
00C6h
VPP [Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
HEX value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
12.6V
1Fh
0004h
Typical time-out per single word program = 2n s
16s
20h
0004h
Typical time-out for Double/ Quadruple Word Program = 2n s
16s
21h
000Ah
Typical time-out per individual block erase = 2n ms
1s
22h
0000h
Typical time-out for full chip erase = 2n ms
NA
23h
0005h
Maximum time-out for word program = 2n times typical
512s
24h
0005h
Maximum time-out for Double/ Quadruple Word Program = 2n times typical
512s
25h
0003h
Maximum time-out per individual block erase = 2n times typical
8s
26h
0000h
Maximum time-out for chip erase = 2n times typical
NA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| M28W320ECT70ZB6T | 功能描述:闪存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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