- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299432 > M28W320ECT90ZB6 (NUMONYX) 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA47 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M28W320ECT90ZB6 |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA47 |
| 封装： | 6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-47 |
| 文件页数： | 8/53页 |
| 文件大小： | 832K |
| 代理商： | M28W320ECT90ZB6 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页
16/53
Table 8. Program, Erase Times and Program/Erase Endurance Cycles
Note: 1. Typical time to program a Main or Parameter Block using the Double Word Program and the Quadruple Word Program commands
respectively.
Parameter
Test Conditions
M28W320EC
Unit
Min
Typ
Max
Word Program
VPP = VDD
10
200
s
Double Word Program
VPP = 12V ±5%
10
200
s
Quadruple Word Program
VPP = 12V ±5%
10
200
s
Main Block Program
VPP = 12V ±5%
0.16/0.08 (1)
5s
VPP = VDD
0.32
5
s
Parameter Block Program
VPP = 12V ±5%
0.02/0.01 (1)
4s
VPP = VDD
0.04
4
s
Main Block Erase
VPP = 12V ±5%
110
s
VPP = VDD
110
s
Parameter Block Erase
VPP = 12V ±5%
0.4
10
s
VPP = VDD
0.4
10
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Data Retention
20
years
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W320ECT70N6 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M28W320ECB10N1F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| M28W640ECT70ZB6T | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M28W640ECT85N1 | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PDSO48 |
| M28W640ECT85ZB1T | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W320FCB70N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320FCB70N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320FCB70ZB6E | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 47TFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| M28W320FCB70ZB6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W320FCT70N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。