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参数资料
| 型号： | M28W800B100N1T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 1/40页 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | M28W800B100N1T |
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PRELIMINARY DATA
November 1999
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
M28W800T
M28W800B
8 Mbit (512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Flash Memory
s
SUPPLY VOLTAGE
–VDD = 2.7V to 3.6V: for Program, Erase and
Read
–VDDQ = 1.65V or 2.7V: Input/Output option
–VPP = 12V: optional Supply Voltage for fast
Program and Erase
s
ACCESS TIME
– 3.0V to 3.6V: 100ns
– 2.7V to 3.6V: 120ns
s
PROGRAMMING TIME: 10s typical
s
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)
– Program Word-by-Word
– Status Register bits
s
COMMON FLASH INTERFACE
– 64 bit Security Code
s
OTP MEMORY AREA
s
MEMORY BLOCKS
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)
– Main Blocks
s
BLOCK ERASE
s
BLOCK PROTECTION on TWO PARAMETER
BLOCKS (selected without 12V supply)
s
PROGRAM/ERASE SUSPEND
– Read or Program another Block during
Program/Erase Suspend
s
PROGRAM/ERASE LATENCY TIME: <1s
– Data update on a Word-by-Word basis
– Efficient data Read/Write during
Program/Erase suspend
s
FAST RECOVERY from POWER DOWN
s
LOW POWER CONSUMPTION
– Automatic Stand-by: 10A max
– Stand-by: 10A max
– 100,000 Program/Erase cycles per block
s
20 YEARS OF DATA RETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
s
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Device Code, M28W800T: 8892h
– Device Code, M28W800B: 8893h
TSOP48 (N)
12 x 20 mm
BGA45 (GB)
8 x 6 solder balls
BGA
Figure 1. Logic Diagram
AI02607
19
A0-A18
W
DQ0-DQ15
VDD
M28W800T
M28W800B
E
VSS
16
G
RP
WP
VPP VDDQ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M293 | EPM 32 ELECTRONIC PROGRAM MEMORY FOR 32 STATIONS |
| M29DW324DT90ZA6F | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA63 |
| M29DW640F70N6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M29F002BB120K1 | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| M29F016D90M6F | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W800BB90N1 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800BB90ZB6T | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800BT100N6T | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800BT90N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays |
| M28W800CB90N1 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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