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参数资料
| 型号： | M28W800BT70N6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，启动块3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 15/49页 |
| 文件大小： | 369K |
| 代理商： | M28W800BT70N6T |
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15/49
M28W800CT, M28W800CB
Table 5. Read Block Lock Signature
Note: 1. A Locked-Down Block can be locked "DQ0 = 1" or unlocked "DQ0 = 0"; see Block Locking section.
Table 6. Read Protection Register and Lock Register
Table 7. Program, Erase Times and Program/Erase Endurance Cycles
Block Status
E
G
W
A0
A1
A2-A7
A8-A11
A12-A18
DQ0
DQ1
DQ2-DQ15
Locked Block
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
0
Don't Care
Block Address
1
0
00h
Unlocked Block
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
0
Don't Care
Block Address
0
0
00h
Locked-Down
Block
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
0
Don't Care
Block Address
X
(1)
1
00h
Word
E
G
W
A0-A7
A8-A18
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3-DQ7 DQ8-DQ15
Lock
V
IL
V
IL
V
IH
80h
Don't Care
0
OTP Prot.
data
Security
prot. data
00h
00h
Unique ID 0
V
IL
V
IL
V
IH
81h
Don't Care
ID data
ID data
ID data
ID data
ID data
Unique ID 1
V
IL
V
IL
V
IH
82h
Don't Care
ID data
ID data
ID data
ID data
ID data
Unique ID 2
V
IL
V
IL
V
IH
83h
Don't Care
ID data
ID data
ID data
ID data
ID data
Unique ID 3
V
IL
V
IL
V
IH
84h
Don't Care
ID data
ID data
ID data
ID data
ID data
OTP 0
V
IL
V
IL
V
IH
85h
Don't Care
OTP data
OTP data
OTP data
OTP data
OTP data
OTP 1
V
IL
V
IL
V
IH
86h
Don't Care
OTP data
OTP data
OTP data
OTP data
OTP data
OTP 2
V
IL
V
IL
V
IH
87h
Don't Care
OTP data
OTP data
OTP data
OTP data
OTP data
OTP 3
V
IL
V
IL
V
IH
88h
Don't Care
OTP data
OTP data
OTP data
OTP data
OTP data
Parameter
Test Conditions
M28W800C
Unit
Min
Typ
Max
Word Program
V
PP
= V
DD
10
200
μs
Double Word Program
V
PP
= 12V ±5%
10
200
μs
Main Block Program
V
PP
= 12V ±5%
0.16
5
s
V
PP
= V
DD
0.32
5
s
Parameter Block Program
V
PP
= 12V ±5%
0.02
4
s
V
PP
= V
DD
0.04
4
s
Main Block Erase
V
PP
= 12V ±5%
1
10
s
V
PP
= V
DD
1
10
s
Parameter Block Erase
V
PP
= 12V ±5%
0.8
10
s
V
PP
= V
DD
0.8
10
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W800BT70N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800BT10ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W800BT90N6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays |
| M28W800CB90N1 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800CB90N6 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800CB90N6T | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800CT70N6 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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