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参数资料
| 型号： | M28W800CB70N1T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，启动块3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 7/49页 |
| 文件大小： | 369K |
| 代理商： | M28W800CB70N1T |
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M28W800CT, M28W800CB
Figure 4. TFBGA Connections (Top view through package)
AI03805
C
B
A
8
7
6
5
4
3
2
1
E
D
F
A4
A7
VPP
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VSS
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DQ6
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VDDQ
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DQ7
VSS
DQ2
A2
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A17
W
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A6
A9
A12
A15
RP
A18
DQ4
DQ13
G
DQ12
DQ11
WP
NC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W800CB90ZB1T | Dual 2-Input Positive-NAND Gate 8-SO 0 to 70 |
| M28W800CB90N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800CB90N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800CB85ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M28W800CB85ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W800CB90N1 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800CB90N6 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800CB90N6T | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800CT70N6 | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M28W800CT70ZB6T | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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