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参数资料
| 型号： | M29DW323DB70N6 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的x8或功能的2Mb x16插槽，双行8时24分，启动块3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 1/49页 |
| 文件大小： | 818K |
| 代理商： | M29DW323DB70N6 |
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June 2003
M29DW323DT
M29DW323DB
32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block)
3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
I
SUPPLY VOLTAGE
– V
CC
=
2.7V to 3.6V for Program, Erase and
Read
– V
PP
=12V for Fast Program (optional)
I
ACCESS TIME: 70, 90ns
I
PROGRAMMING TIME
– 10μs per Byte/Word typical
– Double Word/ Quadruple Byte Program
I
MEMORY BLOCKS
– Dual Bank Memory Array: 8Mbit+24Mbit
– Parameter Blocks (Top or Bottom Location)
I
DUAL OPERATIONS
– Read in one bank while Program or Erase in
other
I
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
I
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
I
V
PP
/WP PIN for FAST PROGRAM and WRITE
PROTECT
I
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
I
COMMON FLASH INTERFACE
– 64 bit Security Code
I
EXTENDED MEMORY BLOCK
– Extra block used as security block or to store
additional information
I
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Top Device Code M29DW323DT: 225Eh
– Bottom Device Code M29DW323DB: 225Fh
Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
FBGA
TFBGA63 (ZA)
7 x 11mm
FBGA
TFBGA48 (ZE)
6 x 8mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW323DB70N1T | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW323DB70N1F | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW323DB70N1E | CABLE ASSEMBLY; LEAD-FREE SOLDER; SMB PLUG TO SMB JACK BULKHEAD; 50 OHM, RG174A/U COAX; 12" CABLE LENGTH; |
| M29DW323DB70N1 | Switch Contact Block; Circuitry:DPST-1NO/1NC; Contact Current Max:10A; Switch Terminals:Solder Lug; Supply Voltage:600VAC |
| M29DW324DT70ZE6E | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29DW323DB70N6E | 功能描述:闪存 4Mx8 or 2Mx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29DW323DB70N6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH BOTTOM BLOCK 32MB 29DW323 |
| M29DW323DB70N6F | 功能描述:闪存 STD FLASH 32 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29DW323DB70N6T | 功能描述:闪存 32M (4Mx8 or 2Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29DW323DB70ZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
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