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参数资料
| 型号： | M29DW323DB90ZA6E |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的x8或功能的2Mb x16插槽，双行8时24分，启动块3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 14/49页 |
| 文件大小： | 818K |
| 代理商： | M29DW323DB90ZA6E |
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M29DW323DT, M29DW323DB
14/49
Table 3. Bus Operations, BYTE = V
IL
Note: X = V
IL
or V
IH
.
Table 4. Bus Operations, BYTE = V
IH
Note: X = V
IL
or V
IH
.
Operation
E
G
W
Address Inputs
DQ15A–1, A0-A20
Data Inputs/Outputs
DQ14-DQ8
DQ7-DQ0
Bus Read
V
IL
V
IL
V
IH
Cell Address
Hi-Z
Data Output
Bus Write
V
IL
V
IH
V
IL
Command Address
Hi-Z
Data Input
Output Disable
X
V
IH
V
IH
X
Hi-Z
Hi-Z
Standby
V
IH
X
X
X
Hi-Z
Hi-Z
Read Manufacturer
Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IL
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
Others V
IL
or V
IH
Hi-Z
20h
Read Device Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IL
,
A9 = V
ID
, Others V
IL
or V
IH
Hi-Z
5Eh (M29DW323DT)
5Fh (M29DW323DB)
Extended Memory
Block Verify Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IH
, A6 = V
IL
,
A9 = V
ID
, Others V
IL
or V
IH
Hi-Z
81h (factory locked)
01h (not factory locked)
Operation
E
G
W
Address Inputs
A0-A20
Data Inputs/Outputs
DQ15A–1, DQ14-DQ0
Bus Read
V
IL
V
IL
V
IH
Cell Address
Data Output
Bus Write
V
IL
V
IH
V
IL
Command Address
Data Input
Output Disable
X
V
IH
V
IH
X
Hi-Z
Standby
V
IH
X
X
X
Hi-Z
Read Manufacturer
Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IL
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
Others V
IL
or V
IH
0020h
Read Device Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
Others V
IL
or V
IH
225Eh (M29DW323DT)
225Fh (M29DW323DB)
Extended Memory
Block Verify Code
V
IL
V
IL
V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IH
, A6 = V
IL
,
A9 = V
ID
, Others V
IL
or V
IH
81h (factory locked)
01h (not factory locked)
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