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参数资料
| 型号： | M29F016D70N1E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO40 |
| 封装： | 10 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-40 |
| 文件页数： | 10/37页 |
| 文件大小： | 707K |
| 代理商： | M29F016D70N1E |
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Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
18/37
Table 9. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤VIN ≤VCC
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤VOUT ≤VCC
±1
A
ICC1
Supply Current (Read)
E = VIL, G = VIH, f = 6MHz
20
mA
ICC2
Supply Current (Standby) TTL
E = VIH
2mA
ICC3
Supply Current (Standby) CMOS
E = VCC ± 0.2V,
RP = VCC ±0.2V
150
A
ICC4
(1)
Supply Current (Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
2
VCC + 0.5
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 5.8mA
0.45
V
VOH
Output High Voltage TTL
IOH = –2.5mA
2.4
V
Output High Voltage CMOS
IOH = –100A
VCC – 0.4
V
VID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
IID
Identification Current
A9 = VID
100
A
VLKO
(1)
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
3.2
4.2
V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M29F016D70N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F016D90M1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
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