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参数资料
| 型号： | M29W200BB90N6F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存 |
| 文件页数： | 17/22页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | M29W200BB90N6F |
17/22
M29W200BT, M29W200BB
Table 17. Reset/Block Temporary Unprotect AC Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W200B
Unit
55
70
90 / 120
t
PHWL (1)
t
PHEL
t
PHGL
(1)
t
RH
RP High to Write Enable Low, Chip Enable
Low, Output Enable Low
Min
50
50
50
ns
t
RHWL (1)
t
RHEL
(1)
t
RHGL
(1)
t
RB
RB High to Write Enable Low, Chip Enable
Low, Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
Min
500
500
500
ns
t
PLYH
(1)
t
READY
RP Low to Read Mode
Max
10
10
10
μ
s
t
PHPHH (1)
t
VIDR
RP Rise Time to V
ID
Min
500
500
500
ns
Figure 11. Reset/Block Temporary Unprotect AC Waveforms
AI02931
RB
W,
RP
tPLPX
tPHWL, tPHEL, tPHGL
tPLYH
tPHPHH
E, G
tRHWL, tRHEL, tRHGL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W200BT120M1 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT120M1E | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT120M1F | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT120M6 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT120M6E | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W200BT55N1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70M1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70N1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70N6E | 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| M29W200BT90N6 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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