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参数资料
| 型号： | M29W200BT120N1 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存 |
| 文件页数： | 20/22页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | M29W200BT120N1 |
M29W200BT, M29W200BB
20/22
Table 20. SO44 - 44 lead Plastic Small Outline, 525 mils body width, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
2.80
0.1102
A1
0.10
0.0039
A2
2.30
2.20
2.40
0.0906
0.0866
0.0945
b
0.40
0.35
0.50
0.0157
0.0138
0.0197
C
0.15
0.10
0.20
0.0059
0.0039
0.0079
CP
0.08
0.0030
D
28.20
28.00
28.40
1.1102
1.1024
1.1181
E
13.30
13.20
13.50
0.5236
0.5197
0.5315
EH
16.00
15.75
16.25
0.6299
0.6201
0.6398
e
1.27
–
–
0.0500
–
–
L
0.80
0.0315
a
8
8
N
44
44
Figure 13. SO44 - 44 lead Plastic Small Outline, 525 mils body width, Package Outline
Drawing is not to scale.
SO-b
E
N
CP
B
e
A2
D
C
L
A1
α
H
A
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W200BT120N1E | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W200BT55N1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70M1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70N1 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W200BT70N6E | 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| M29W200BT90N6 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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