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参数资料
型号： M29W200BT55M1F
厂商： 意法半导体
英文描述： 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述： 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存
文件页数： 13/22页
文件大小： 175K
代理商： M29W200BT55M1F
13/22
M29W200BT, M29W200BB
Table 13. DC Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Symbol
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f = 6MHz
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
± 0.2V
100
μ
A
I
CC3
(1)
Supply Current (Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+ 0.3
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
– 0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μ
A
V
LKO
(1)
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
1.8
2.3
V
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PDF描述
M29W200BT70N6F 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
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M29W200BT90M1F 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
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M29W200BT70M1 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W200BT70N1 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W200BT70N6E 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2
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