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参数资料
| 型号： | M29W200BT70N6F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存 |
| 文件页数： | 15/22页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | M29W200BT70N6F |
15/22
M29W200BT, M29W200BB
Figure 9. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
AI01991
E
G
W
A0-A16/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
RB
tWHRL
Table 15. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W200B
Unit
55
70
90 / 120
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
55
70
90
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
40
45
45
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
Min
25
30
45
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
30
30
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
Min
40
45
45
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
WHRL (1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
30
35
ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
High to Chip Enable Low
Min
50
50
50
μs
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W200BT90M1 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W200BT90N6 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W256G7AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M29W256GH70N3E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP |
| M29W256GH70N6E | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| M29W256GH70N6F | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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