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参数资料
| 型号： | M29W200BT90M6E |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存 |
| 文件页数： | 2/22页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | M29W200BT90M6E |
M29W200BT, M29W200BB
2/22
Figure 2. TSOP Connections
DQ3
DQ10
DQ9
DQ1
DQ2
A6
A5
DQ0
G
VSS
W
RP
A3
A2
A1
RB
NC
DQ6
DQ13
DQ5
A8
NC
A9
NC
A7
A10
DQ14
DQ12
DQ4
DQ15A–1
DQ7
VCC
DQ11
NC
NC
AI02944
M29W200BT
M29W200BB
12
13
1
24
25
36
37
48
DQ8
NC
A4
A12
A11
A13
A16
BYTE
VSS
A15
A14
E
A0
Figure 3. SO Connections
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
A3
A2
A1
A0
E
VSS
A13
A14
A15
A16
BYTE
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
A12
DQ5
DQ12
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
DQ4
A9
A10
W
A8
RB
NC
A4
NC
RP
A7
A6
A5
AI02945
M29W200BT
M29W200BB
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
2
3
4
5
6
7
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
20
21
19
18
44
43
42
41
39
38
37
36
35
34
33
A11
40
1
Table 1. Signal Names
A0-A16
Address Inputs
DQ0-DQ7
Data Inputs/Outputs
DQ8-DQ14
Data Inputs/Outputs
DQ15A–1
Data Input/Output or Address Input
E
Chip Enable
G
Output Enable
W
Write Enable
RP
Reset/Block Temporary Unprotect
RB
Ready/Busy Output
BYTE
Byte/Word Organization Select
V
CC
Supply Voltage
V
SS
Ground
NC
Not Connected Internally
SUMMARY DESCRIPTION
The M29W200B is a 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb
x16) non-volatile memory that can be read, erased
and reprogrammed. These operations can be per-
formed using a single low voltage (2.7 to 3.6V)
supply. On power-up the memory defaults to its
Read mode where it can be read in the same way
as a ROM or EPROM. The M29W200B is fully
backward compatible with the M29W200.
The memory is divided into blocks that can be
erased independently so it is possible to preserve
valid data while old data is erased. Each block can
be protected independently to prevent accidental
Program or Erase commands from modifying the
memory. Program and Erase commands are writ-
ten to the Command Interface of the memory. An
on-chip Program/Erase Controller simplifies the
process of programming or erasing the memory by
taking care of all of the special operations that are
required to update the memory contents. The end
of a program or erase operation can be detected
and any error conditions identified. The command
set required to control the memory is consistent
with JEDEC standards.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W200BT90M6F | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT90N1 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT90N1E | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT90N1F | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT90N6 | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W200BT90N6 | 功能描述:闪存 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W256G7AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M29W256GH70N3E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP |
| M29W256GH70N6E | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| M29W256GH70N6F | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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