参数资料
型号: M29W200BT90N1
厂商: 意法半导体
英文描述: 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述: 2兆位(256Kb的x8或128KB的x16插槽,引导块)低电压单电源闪存
文件页数: 13/22页
文件大小: 175K
代理商: M29W200BT90N1
13/22
M29W200BT, M29W200BB
Table 13. DC Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Symbol
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
V
IN
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
V
OUT
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f = 6MHz
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
± 0.2V
100
μ
A
I
CC3
(1)
Supply Current (Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+ 0.3
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
– 0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μ
A
V
LKO
(1)
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
1.8
2.3
V
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PDF描述
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