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参数资料
| 型号： | M29W400T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(4M位闪速存储器) |
| 中文描述： | 的4Mb（512KB的x8或256Kb的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存（4分位闪速存储器） |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | M29W400T |
B29W400/810
Completedata availableon
DATA-on-DISCCD-ROM
orat
www.st.com
1/4
M29W400T
M29W400B
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
DATABRIEFING
2.7V to 3.6VSUPPLYVOLTAGEfor
PROGRAM, ERASEand READ OPERATIONS
FASTACCESS TIME: 90ns
FASTPROGRAMMING TIME
– 10
μ
s by Byte / 16
μ
s byWord typical
PROGRAM/ERASECONTROLLER (P/E.C.)
– ProgramByte-by-Byteor Word-by-Word
– StatusRegister bits and Ready/BusyOutput
MEMORYBLOCKS
– BootBlock (Top or Bottomlocation)
– Parameterand Main blocks
BLOCK, MULTI-BLOCKand CHIPERASE
MULTI BLOCKPROTECTION/TEMPORARY
UNPROTECTION MODES
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program anotherBlockduring
Erase Suspend
LOW POWER CONSUMPTION
– Stand-byand AutomaticStand-by
100,000 PROGRAM/ERASECYCLES per
BLOCK
20 YEARSDATARETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– ManufacturerCode: 0020h
– Device Code, M29W400T:00EEh
– Device Code, M29W400B:00EFh
DESCRIPTION
The M29W400 is a non-volatilememory that may
be erasedelectricallyat theblock or chipleveland
programmedin-systemona Byte-by-Byteor Word-
by-Wordbasisusingonlya single2.7Vto3.6VV
CC
supply. For Program and Erase operations the
necessary high voltages are generated internally.
The device can also be programmed in standard
programmers.
The arraymatrix organisationallows each blockto
be erased and reprogrammed without affecting
otherblocks. Blocks can be protectedagainst pro-
graming and erase on programming equipment,
and temporarily unprotected to make changes in
the application. Each block can be programmed
and erased over 100,000 cycles.
AI02065
18
A0-A17
W
DQ0-DQ14
VCC
M29W400T
M29W400B
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
Logic Diagram
44
1
SO44 (M)
TSOP48 (N)
12 x 20 mm
BGA
FBGA48 (ZA)
8 x 6 solder balls
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M29W400T-100M1 | 功能描述:闪存 RO 511-M29W400BT55M 512KX8 OR 256KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W400T-120M1 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512Kx8 or 256Kx16 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| M29W512B120K1 | 功能描述:闪存 PLCC-32 64KX8 120NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W512B70K1 | 功能描述:闪存 PLCC-32 64KX8 70NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W512B70NZ1 | 功能描述:闪存 512K (64Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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