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参数资料
型号： M29W800AB90N1T
厂商： 意法半导体
元件分类： 圆形连接器
英文描述： Circular Connector; No. of Contacts:55; Series:JT02R; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:16-55
中文描述： 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引导块低压单电源闪存
文件页数： 23/33页
文件大小： 234K
代理商： M29W800AB90N1T
23/33
M29W800AT, M29W800AB
Table 21. Data Polling and Toggle Bit AC Characteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
Table 22. Data Polling and Toggle Bit AC Characteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
Symbol
Parameter
M29W800AT / M29W800AB
Unit
80
90
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
Min
Max
Min
Max
t
EHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Program, E Controlled)
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, E Controlled)
1.0
60
1.0
60
sec
t
EHQV
Chip Enable High to Output Valid (Program)
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to Output Valid (Chip Erase)
1.0
60
1.0
60
sec
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
35
35
ns
t
WHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid
(Program, W Controlled)
10
2400
10
2400
ms
Write Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, W Controlled)
1.0
60
1.0
60
sec
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid (Program)
10
2400
10
2400
μ
s
Write Enable High to Output Valid (Chip Erase)
1.0
60
1.0
60
sec
Symbol
Parameter
M29W800AT / M29W800AB
Unit
100
120
V
CC
= 2.7V to 3.6V
CL = 30pF
V
CC
= 2.7V to 3.6V
CL = 30pF
Min
Max
Min
Max
t
EHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Program, E Controlled)
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, E Controlled)
1.0
60
1.0
60
sec
t
EHQV
Chip Enable High to Output Valid (Program)
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to Output Valid (Chip Erase)
1.0
60
1.0
60
sec
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
40
50
ns
t
WHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid
(Program, W Controlled)
10
2400
10
2400
ms
Write Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, W Controlled)
1.0
60
1.0
60
sec
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid (Program)
10
2400
10
2400
μ
s
Write Enable High to Output Valid (Chip Erase)
1.0
60
1.0
60
sec
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PDF描述
M29W800DB IC 16-BIT BUFFER/DRIVER 48-TSSOP
M29W800D Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85
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M29W800DB70M6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85
M29W800DB70N1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85
相关代理商/技术参数
参数描述
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M29W800AT120M1 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800AT120N1 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800AT120N6 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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